MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: EIN IC-BLITZ 128GBIT STELLEN 48TSOP I GLEICH
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:
,128GBIT-Flash-IC
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:
Produkt-Beschreibung:
• Offenes NAND Flash Interface (ONFI) 2,2 compliant1 • Einstufige Technologie der Zellen (SLC) • Organisation – Seitengröße x8: 8640 Bytes (8192 + 448 Bytes) – Blockgröße: 128 Seiten (Bytes 1024K + 56K) – flache Größe: 2 Blöcke der Flächen x 2048 pro Fläche – Gerätgröße: 32Gb: 4096 Blöcke; 64Gb: 8192 Blöcke; 128Gb: 16.384 Blöcke; 256Gb: 32.768 Blöcke • Synchrone Input-/Outputleistung – bis synchroner Regelungsmodus 5 – Taktfrequenz: 10ns (DDR) – Lese-Schreibdurchsatz pro Stift: 200 MT/s • Asynchrone Input-/Outputleistung – bis asynchroner Regelungsmodus 5 – tRC/tWC: 20ns (MINUTE) – Lese-Schreibdurchsatz pro Stift: 50 MT/s • Reihenleistung – gelesene Seite: 35µs (max) – Programmseite: 350µs (ART) – Löschenblock: 1.5ms (ART) • Funktionierender Spannungsbereich – VCC: 2.7-3.6V – VCCQ: 1.7-1.95V, 2.7-3.6V • Befehlssatz: ONFI NAND Flash Protocol • Satz des erweiterten Befehls – Programmpufferspeicher – gelesener aufeinander folgender – gelesener Pufferspeicher gelegentlich – einmaliger programmierbarer (OTP) Modus des Pufferspeichers – Multi-Fläche befiehlt – multi--LUN Operationen – lesen Sie einzigartige Identifikation – Copyback • Erster Block (Blockadresse 00h) ist gültig, wenn er von der Fabrik versendet wird. Für minimalen erforderlichen ECC sehen Sie Fehlerbehandlung (Seite 114). • ZURÜCKSTELLEN (FFh) erforderte als erster Befehl nachher macht-auf • Operationsstatusbyte stellt Software-Methode für die Entdeckung – Operationsfertigstellung – der Durchlauf-/Ausfallungszustandes – Schreibschutzstatus zur Verfügung • Signale des Datenröhrenblitzes (DQS) stellen eine Hardware-Methode für das Synchronisieren von Daten DQ in der synchronen Schnittstelle zur Verfügung • Copyback-Operationen stützten sich innerhalb der Fläche, von der Daten gelesen werden • Qualität und Zuverlässigkeit – Datenzurückhalten: JESD47G konform; sehen Sie Qualifikationsbericht – Ausdauer: 60.000 PROGRAM-/ERASEzyklen • Betriebstemperatur: – Werbung: 0°C zu +70°C – industriell (IT): – 40ºC zu +85ºC • Paket – 52 Auflage LGA – 48 Stift TSOP – 100 Ball BGA – 132 Ball BGA
Technologische Parameter:
Produkteigenschaften | Attribut-Wert |
Hersteller: | Mikrometer-Technologie |
Produktart: | NAND-Flash-Speicher |
Installationsart: | SMD/SMT |
Verpacken/Kasten: | TSOP-48 |
Reihe: | MT29F |
Speicherkapazität: | 128 Gbit |
Schnittstellenart: | Parallel |
Organisation: | 16 G x 8 |
Regelungsart: | Asynchron |
Datenbusbreite: | Bit 8 |
Stromversorgungsspannung - Minimum: | 2,7 V |
Stromversorgungsspannung - Maximum: | 3,6 V |
Stromversorgung gegenwärtig - Grenzwert: | 50 MA |
Minimale Betriebstemperatur: | - 40 C |
Normalbetriebshöchsttemperatur: | + 85 C |
Verpacken: | Behälter |
Eingetragenes Warenzeichen: | Mikrometer |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: | Ja |
Produkt: | NAND Flash |
Produkt-Art: | NAND Flash |
Verpackenquantität der Fabrik: | 960 |
Unterkategorie: | Gedächtnis u. Datenspeicherung |
Stückgewicht: | 9,117 g |
Kundendienst:
1. Stützen Sie BOM-Listen?
Selbstverständlich haben wir ein Berufsteam, zum von BOM bereitzustellen.
2. Unten dargestellt. Hinter MOQ?
Unser MOQ ist flexibel und kann entsprechend Ihrem Bedarf, mit einem Minimum von 10 Stücken versehen werden.
3. Was über Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
Nachdem wir die Ablagerung empfangen haben, vereinbaren wir, die Waren zu verpacken und mit Logistik für Lieferung in Verbindung zu treten. Die Dauer ist 3-7 Tage.
4. Unser Vorteil?
1. Stabile und genügende Versorgung
2. Konkurrenzorientierte Preisbestimmung
3. Reiche BOM-Erfahrung
4. Perfekter Kundendienst
5. Berufsprüfungszeugnis
5. Unser Service?
Zahlungsmethoden: T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, Kreditkarte, paypal, Western Union, Bargeld, Übertragungsurkunde, Alipay…
6. Transport:
DHL, TNT, Fedex, EMS, DEPX, Luft, Seeverschiffen
Produkt-Fotos:

MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA

MT41K256M16TW-107: GLEICHHEIT 96FBGA P IC D-RAM-4GBIT

MT40A1G16KD-062E: ÄHNLICHKEIT 96FBGA E IC D-RAM-16GBIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC BLITZ 128MBIT SPI 133MHZ 8SO

MT29F1G01ABAFDWB-IT: BLITZ 1GBIT SPI 8UPDFN F IC

MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA

MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA

MT25QU128ABA1EW9-0SIT
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
SDRAM - DDR3 memory IC 2Gb parallel 1.066 GHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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![]() |
MT41K256M16TW-107: GLEICHHEIT 96FBGA P IC D-RAM-4GBIT |
SDRAM - DDR3L memory IC 4Gb parallel 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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MT40A1G16KD-062E: ÄHNLICHKEIT 96FBGA E IC D-RAM-16GBIT |
SDRAM - DDR4 memory IC 16Gb parallel 1.6 GHz 19 ns 96-FBGA (9x13)
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC BLITZ 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
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MT29F1G01ABAFDWB-IT: BLITZ 1GBIT SPI 8UPDFN F IC |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
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MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
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MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
SDRAM - DDR3L memory IC 2Gb parallel 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA (8x14)
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN(8x6)(MLP8)
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