MT40A1G16KD-062E: ÄHNLICHKEIT 96FBGA E IC D-RAM-16GBIT
MT40A1G16KD-062E:E
,16GBIT DRAM IC
,MT2B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B
MT40A1G16KD-062E: E
Produkt-Beschreibung:
• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV • VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV • Auf-Würfel, interne, justierbare VREFDQ-Generation • Pseudooffenabfluß 1.2V Input/Output • TC obere End zu 95°C – 64ms, Zyklus 8192 erneuern Sie bis zu 85°C – 32ms, Zyklus 8192 an >85°C zu 95°C erneuern • 16 interne Banken (x4, x8): 4 Gruppen von 4 Banken jede • 8 interne Banken (x16): 2 Gruppen von 4 Banken jede • Architektur des vorzeitigen Abfangens 8n-bit • Programmierbare Datenröhrenblitzpräambeln • Datenröhrenblitz-Präambeltraining • Befehls-/Adreßlatenz (cal) • Vielzweckregister LESEN und Fähigkeit SCHREIBEN • Write Planieren • Selbst erneuern Modus • Niederleistungsselbstselbst erneuern (LPASR) • Temperaturgeregelt erneuern Sie (TCR) • Feine Körnigkeit erneuern • Selbst erneuern Abbruch • Höchstleistungseinsparung • Ertragfahrerkalibrierung • Nominal, Park und dynamische Aufwürfelbeendigung (ODT) • Datenbusumstellung (DBI) für Datenbus • Befehl/Parität der Adressen (CA) • Databus schreiben zyklische Blockprüfung (zyklische Blockprüfung) • Pro-D-RAM-Adressierbarkeit • Zusammenhangtest • JEDEC JESD-79-4 konform • sPPR und hPPR Fähigkeit
Technologische Parameter:
| Produkteigenschaften | Attribut-Wert |
| Hersteller: | Mikrometer-Technologie |
| Produktart: | Dynamischer Direktzugriffsspeicher |
| Art: | SDRAM - DDR4 |
| Installationsart: | SMD/SMT |
| Datenbusbreite: | Bit 16 |
| Organisation: | 1 G x 16 |
| Speicherkapazität: | 16 Gbit |
| Maximale Taktfrequenz: | 1,6 Gigahertz |
| Zugriffzeit: | 13,75 ns |
| Stromversorgungsspannung - Maximum: | 1,26 V |
| Stromversorgungsspannung - Minimum: | 1,14 V |
| Stromversorgung gegenwärtig - Grenzwert: | 84 MA |
| Minimale Betriebstemperatur: | 0 C |
| Normalbetriebshöchsttemperatur: | + 95 C |
| Reihe: | MT40A |
| Verpacken: | Behälter |
| Eingetragenes Warenzeichen: | Mikrometer |
| Produkt-Art: | D-RAM |
| Verpackenquantität der Fabrik: | 1140 |
| Unterkategorie: | Gedächtnis u. Datenspeicherung |
Kundendienst:
1. Stützen Sie BOM-Listen?
Selbstverständlich haben wir ein Berufsteam, zum von BOM bereitzustellen.
2. Unten dargestellt. Hinter MOQ?
Unser MOQ ist flexibel und kann entsprechend Ihrem Bedarf, mit einem Minimum von 10 Stücken versehen werden.
3. Was über Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
Nachdem wir die Ablagerung empfangen haben, vereinbaren wir, die Waren zu verpacken und mit Logistik für Lieferung in Verbindung zu treten. Die Dauer ist 3-7 Tage.
4. Unser Vorteil?
1. Stabile und genügende Versorgung
2. Konkurrenzorientierte Preisbestimmung
3. Reiche BOM-Erfahrung
4. Perfekter Kundendienst
5. Berufsprüfungszeugnis
5. Unser Service?
Zahlungsmethoden: T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, Kreditkarte, paypal, Western Union, Bargeld, Übertragungsurkunde, Alipay…
6. Transport:
DHL, TNT, Fedex, EMS, DEPX, Luft, Seeverschiffen
Produkt-Fotos:
MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107: GLEICHHEIT 96FBGA P IC D-RAM-4GBIT
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: EIN IC-BLITZ 128GBIT STELLEN 48TSOP I GLEICH
MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC BLITZ 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
MT29F1G01ABAFDWB-IT: BLITZ 1GBIT SPI 8UPDFN F IC
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
SDRAM - DDR3 memory IC 2Gb parallel 1.066 GHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
|
|
|
|
MT41K256M16TW-107: GLEICHHEIT 96FBGA P IC D-RAM-4GBIT |
SDRAM - DDR3L memory IC 4Gb parallel 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
|
|
|
|
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: EIN IC-BLITZ 128GBIT STELLEN 48TSOP I GLEICH |
Flash memory - NAND memory IC 128Gb parallel 48-TSOP I
|
|
|
|
MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC BLITZ 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
|
|
|
|
MT29F1G01ABAFDWB-IT: BLITZ 1GBIT SPI 8UPDFN F IC |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
|
|
|
|
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
|
|
|
|
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
SDRAM - DDR3L memory IC 2Gb parallel 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA (8x14)
|
|
|
|
MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN（8x6）（MLP8）
|