MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16TB-062E: R-ND IC
,MT40A512M16TB-062E: R-ND
,8GBIT D-RAM IC
USE Gewichtung von Gewichtsverlust
Beschreibung der Produkte:
• VDD = VDDQ = 1,5 V ±0,075 V • 1,5 V zentral beendeter Push/Pull I/O • Differenz bidirektionale Datenstroboskop • 8n-Bit-Prefetch-Architektur • Differentialschalteingänge (CK,CK#) • 8 interne Datenbanken • Nominelle und dynamische Termination (ODT) für Daten, Stroboskop and mask signals • Programmable CAS READ latency (CL) • Posted CAS additive latency (AL) • Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on t CK • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS]) • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) • Self refresh mode • TC of 0°C to 95°C – 64ms, 8192 Zyklus-Erneuerung bei 0°C bis 85°C8192 Zyklus-Erneuerung bei 85°C bis 95°C • Selbst-Erneuerungstemperatur (SRT) • Automatische Selbst-Erneuerung (ASR) • Schreibnivelation • Mehrzweckregister • Kalibrierung des Ausgangstreibers
Technologische Parameter:
| Produktattribute | Attributwert |
| Hersteller: | Mikrontechnologie |
| Produktart: | Dynamischer Zufallsspeicher |
| Typ: | SDRAM - DDR3 |
| Einbaustil: | SMD/SMT |
| Verpackung/Kiste: | FBGA-96 |
| Datenbusbreite: | 16 Bit |
| Organisation: | 128 M x 16 |
| Speicherkapazität: | 2 Gbit |
| Maximale Taktfrequenz: | 10,066 GHz |
| Zugriffszeit: | 20 ns |
| Stromversorgungsspannung - maximal: | 1.575 V |
| Stromversorgungsspannung - Mindest: | 1.425 V |
| Stromversorgungsstrom - Höchstwert: | 74 mA |
| Mindestbetriebstemperatur | 0 C |
| Höchstbetriebstemperatur: | + 95 °C |
| Reihe: | MT41J |
| Verpackung: | Tray |
| Marke: | Mikron |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit: | - Ja, das ist es. |
| Typ der Ware: | DRAM |
| Fabrikverpackung: | 1224 |
| Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
Kundenservice:
1Unterstützen Sie BOM-Listen?
Natürlich haben wir ein professionelles Team, das BOM bereitstellt.
2Nach der MOQ?
Unser MOQ ist flexibel und kann je nach Bedarf mit mindestens 10 Stück geliefert werden.
3Was ist mit der Vorlaufzeit?
Nach Erhalt der Kaution werden wir die Verpackung der Ware und die Logistik für die Lieferung organisieren.
4- Unser Vorteil?
1Stabile und ausreichende Versorgung
2. Wettbewerbsfähige Preise
3- Reiche Erfahrung mit BOM
4Perfekter Kundenservice.
5. Berufsprüfbescheinigung
5- Unser Dienst?
Zahlungsmethoden: T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, Kreditkarte, Paypal, Western Union, Bargeld, Treuhand, Alipay...
6- Transportmittel:
DHL, TNT, FedEx, EMS, DEPX, Luft- und Seeverkehr
Produktfotos:
MT41K256M16TW-107: GLEICHHEIT 96FBGA P IC D-RAM-4GBIT
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: EIN IC-BLITZ 128GBIT STELLEN 48TSOP I GLEICH
MT40A1G16KD-062E: ÄHNLICHKEIT 96FBGA E IC D-RAM-16GBIT
MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC BLITZ 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
MT29F1G01ABAFDWB-IT: BLITZ 1GBIT SPI 8UPDFN F IC
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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MT41K256M16TW-107: GLEICHHEIT 96FBGA P IC D-RAM-4GBIT |
SDRAM - DDR3L memory IC 4Gb parallel 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: EIN IC-BLITZ 128GBIT STELLEN 48TSOP I GLEICH |
Flash memory - NAND memory IC 128Gb parallel 48-TSOP I
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MT40A1G16KD-062E: ÄHNLICHKEIT 96FBGA E IC D-RAM-16GBIT |
SDRAM - DDR4 memory IC 16Gb parallel 1.6 GHz 19 ns 96-FBGA (9x13)
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC BLITZ 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
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MT29F1G01ABAFDWB-IT: BLITZ 1GBIT SPI 8UPDFN F IC |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
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MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
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MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
SDRAM - DDR3L memory IC 2Gb parallel 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA (8x14)
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN（8x6）（MLP8）
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